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晶振分類

常見問題

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首頁晶振系列泰藝USB晶體諧振器,XR-6035mm晶振,石英晶振,XRPAAAAANF-25.000000

泰藝USB晶體諧振器,XR-6035mm晶振,石英晶振,XRPAAAAANF-25.000000

產(chǎn)品型號(hào)：75683774
頻率：8.0MHZ~50.0MHZ
尺寸：6.0*3.5mm
產(chǎn)品介紹：貼片晶振本身體積小,超薄型"XRPAAAAANF-25.000000"石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)...

泰藝USB晶體諧振器,XR-6035mm晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振"XRPAAAAANF-25.000000"產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

泰藝晶振規(guī)格參數(shù)	XR
頻率范圍	8.0MHZ~50.0MHZ
負(fù)載電容	7.0pF
激勵(lì)功率	10 μW typical, 300 μW maximum
老化@ + 25°C	±3.0 ppm/yr maximum
絕緣電阻(@直流100 v)	500M Ohms minimum
儲(chǔ)存溫度范圍	-55°C~+125°C

泰藝電子立基臺(tái)灣,在美國與中國大陸均設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),營(yíng)業(yè)與銷售據(jù)點(diǎn)包括臺(tái)灣臺(tái)北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶遍及汽車產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)性電子、信息產(chǎn)業(yè)、通信產(chǎn)業(yè)與通信基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè).泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利；未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).

泰藝電子以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管制系統(tǒng)獲得客戶對(duì)產(chǎn)品的信賴度,健全的供應(yīng)鏈管理掌握原材物料的來源,滿足客戶對(duì)石英頻率元件的需求.

主要產(chǎn)品廣泛用途石英晶體"XRPAAAAANF-25.000000"（Crystal)、小型化貼片石英晶體振蕩器（SMD XO）、壓控有源晶振（VCXO）

未來展望:

銷售：發(fā)展自有品牌及策略性客戶、拓展全球化渠道.產(chǎn)能：經(jīng)濟(jì)化、規(guī)模化.產(chǎn)品：高頻、高精度、輕、薄、短、小.制程：標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化、信息化與彈性化.供應(yīng)鏈：交期短、庫存低.

頻率與負(fù)載電容的變化要求：

請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器晶體"XRPAAAAANF-25.000000"的兩個(gè)端子的信號(hào),如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的）,請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5.

The formula for Capacitances versus Frequency is as following:

該公式的電容與頻率是如下：

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容（CL,或Cd以及C 8）的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該石英水晶振子應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：

方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）.

方法2：采用小電阻（RR）的晶體.

方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體"XRPAAAAANF-25.000000",以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.